01/29/2009 | Nn

Стріха Максим Віталійович, доктор фізико-математичних наук (Київ)
http://www.nbuv.gov.ua/_scripts/wwwi32.exe/[in=_scripts/ref.in]

Поздравим зам.министра МОН г-на Стриху с выходом его статьи в Phys Rev.
Позавидуем многогранности его таланта и исключительной трудоспособности, которая позволяет ему совмещать обязанности крупного госчиновника и интенсивную общественно-политическую деятельность с написанием самых разнообразных статей в ведущие мировые журналы.

Стріха Максим Віталійович
Учений у галузі фізики напівпровідників та українського перекладознавства, доктор фізико-математичних наук (1997), письменник, перекладач, член Національної спілки письменників України (1994). Заступник міністра освіти і науки України (з 12.2007).
Народився 24 червня 1961 року в Києві в родині науковців (батько — Стріха Віталій Іларіонович (1931-1999), професор Київського національного університету імені Тараса Шевченка, президент Академії наук вищої школи України; мати — Гула Надія Максимівна (1936), доктор біологічних наук, член-кореспондент НАН України, завідувачка відділу Інституту біохімії НАН України; дід — Гулий Максим Федотович (1905-2007), учений-біохімік, академік НАН України). Максим Віталійович закінчив радіофізичний факультет Київського державного університету ім. Т. Шевченка. З 1983 р. — в Інституті фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України, нині — на посаді провідного наукового співробітника. Кандидат фізико-математичних наук (1987). Доктор фізико-математичних наук наук (1997), дисертація "Оптичні та рекомбінаційні переходи в напівпровідниках з дефектами, деформаціями та неоднорідностями складу". З 1995 р. завідує також лабораторією Українського центру культурних досліджень. З 1999 р. — керівник наукових програм Інституту відкритої політики, з 2006 р. за сумісництвом — головний науковий співробітник Інституту енциклопедичних досліджень НАН України.
Наукові інтереси в галузі фізики напівпровідників — побудова послідовної теорії оптичних та рекомбінаційних переходів у реальних напівпровідниках, покращення властивостей матеріалів напівпровідникової електроніки. Автор понад 80 наукових робіт, отримав 1 патент на винахід.
У галузі українського перекладознавства запропонував і обгрунтував концепцію націєтворчої функції українського художнього перекладу. Автор понад 100 статей, присвячених постатям і явищам українського перекладу та монографій: "Данте й українська література: досвід рецепції на тлі «запізнілого націєтворення»" (2003) та "Український художній переклад: між літературою і націєтворенням" (2006). Розробник навчального курсу й автор посібника "Історія й сьогодення українського поетичного перекладу" (2002).
Член Українського фізичного товариства (з 1992; з 2004 — член Бюро Координаційної ради). Заступник голови Київського наукового товариства ім. Петра Могили (з 1990). У 1990-1994 рр. — депутат Київської міської ради, а в 1993-1995 рр. — радник міністра культури України І. М. Дзюби. Член Громадської Ради МОН України (з 2005).
Член Асоціації українських письменників (1997) та Національної Спілки письменників України (1994). Автор книги віршів "Сонети та октави" (1991), упорядник і перекладач книг "Здолавши півшляху життя земного... «Божественна Комедія» Данте та її українське відлуння" (2001), "Улюблені англійські вірші та навколо них" (2003), "Пісні Нового Світу" (2004), "Хотінь безсенсовних отрута" (2007). Перекладав українською мовою поетичні та прозові твори Данте, В. Вордсворта, А. Ч. Свінберна, Р. Л. Стівенсона, Ж. М. Ередіа, В. Вітмена, Е. Дікінсон, Р. Кіплінга, Д. Г. Лоуренса, Т. С. Еліота, В. Б. Єйтса, інших класичних та сучасних авторів.
Лауреат Академічної Нагороди Ярослава Мудрого Академії наук вищої школи України (2007). Нагороджений Почесною Грамотою МОН (2007).
Джерела інформації:
• Міністерство освіти і науки України
• Вікіпедія
[Last accessed 31.07.2008]

PHYSICAL REVIEW B 79, 033406 _2009_
Thermal-radiation-induced nonequilibrium carriers in intrinsic graphene
P. N. Romanets, F. T. Vasko,* and M. V. Strikha
Institute of Semiconductor Physics, NAS of Ukraine, Pr. Nauky 41, Kyiv, 03028, Ukraine
_Received 22 August 2008; revised manuscript received 8 December 2008; published 14 January 2009_
We have examined an intrinsic graphene connected to the phonon thermostat at temperature T under irradiation
of thermal photons with temperature Tr, different from T. The distribution of nonequilibrium electronhole
pairs was obtained for the cases when the interparticle scattering is unessential and when the Coulomb
scattering dominates. For the first case, the distribution function is determined by the interplay of intraband
relaxation of energy due to acoustic phonons and interband radiative transitions caused by the thermal radiation.
For the alter case, the quasiequilibrium distribution with effective temperature and nonequilibrium concentration,
determined through balance equations, is realized. Due to the effect of thermal radiation with
temperature Tr_T, concentration and conductivity of carriers in graphene are modified essentially. It is demonstrated
that at Tr_T, the negative interband absorption caused by the inversion of carriers distribution can occur.

DOI: 10.1103/PhysRevB.79.033406